Järgmise põlvkonna protsessor on kahanenud 10 nanomeetrini, mis on vaevalt juuksekarva laiune.
Qualcomm teatas Snapdragon 835 protsessoriperekonna arendamisest, mis loodi koostöös Samsungiga, et vähendada kiibi suurust ja suurendada jõudlust.
Esiletõstetud
- Kas Windows 10 on enda huvides liiga populaarne?
- 5 viisi, kuidas leida parim koht oma karjääri alustamiseks
- Nii muudab generatiivne AI kontserdimajandust paremaks
- 3 põhjust, miks ma eelistan seda 300-dollarist Androidi Google'i Pixel 6a asemel
17. novembril New Yorgis Qualcomm Snapdragoni tippkohtumisel kõneles tootevaldkonna vanem asepresident Keith Kressin Qualcommi juhtkond ütles, et uus protsessor on välja töötatud Samsungi 10-nanomeetrise (nm) FinFET-protsessiga tehnoloogia.
Snapdragon 835, selle kaitsja Snapdragon 820, on väiksem ja annab rohkem löögi kui varasemad kiibid; uue kiibi disaini tehnilised üksikasjad pole aga praegu saadaval.
Samsung teatas 10nm FinFET riistvara masstootmisest oktoobris. Võrreldes 14nm FinFET eelkäijad
Lõuna-Korea tehnoloogiahiiglane ütleb, et uusimad disainilahendused pakuvad ligikaudu 30-protsendilist piirkonna efektiivsuse kasvu koos jõudluse kasvuga kuni 27 protsenti ehk 40 protsenti väiksema energiatarbimisega.Samsungi tegevasepresident ja valukoja juht Jong Shik Yoon ütles, et partnerlus "on meie valukoja jaoks oluline verstapost, kuna see näitab usaldust Samsungi juhtiva kiibiprotsessi vastu tehnoloogia."
Vaata ka: Qualcomm toob välja uue Snapdragoni kolmiku ja kantava platvormi
Samsung on aastaid olnud nii USA kiibitootja klient kui ka partner ning selle partnerluse kaudu on uusim Snapdragon 835 eelkäijatest palju kergem ja õhem. Riistvara suurust vähendades annab uusim Snapdragoni kiip müüjatele võimaluse kasutada mobiilseadmetes rohkem ruumi riistvara (nt nutitelefonid või tahvelarvutid) suuremate akude sisestamiseks seadme eluea pikendamiseks või õhemate toodete valmistamiseks. terve.
Samsungi vanemasepresidendi Ben Suhi sõnul pakub uus disain konkurentidega võrreldes fenomenaalset jõudu ja jõudlust.
Qualcomm ütleb ka, et kasutades 10 nm FinFET-tehnoloogiat, toob kiibi disain kaasa ka protsessi täiustused ja aku tööea "olulise" eelise.
"Meil on hea meel jätkata koostööd Samsungiga mobiilitööstuse juhtivate toodete väljatöötamisel," ütles Kressin. "Uue 10 nm protsessisõlme kasutamine võimaldab meie esmaklassilisel Snapdragon 835 protsessoril pakkuda suuremat energiatõhusust ja suurendada jõudlust, võimaldades meil lisada ka mitmeid uusi võimalusi, mis võivad parandada homse mobiili kasutajakogemust seadmed."
Snapdragon 835 on praegu tootmises ja eeldatavasti tarnitakse seadmetes 2017. aasta esimesel poolel.